和未来老丈人通完电话之后，唐笑对着莫瑞茨说道：“入台籍，我会让我的女朋友先入台籍，等明年她硕士研究生毕业之后，我们就会结婚，到时候我再加入台籍，这样问题应该就不大了。”

    听到唐笑明确的表态，在场的众人全都松了一口气，他们其实真的很担心，如果唐笑真的要一意孤行的话，进军半导体领域的事情很可能会搁浅，真到那个时候，他们这批智囊还有没有必要继续存在下去就值得商榷了！

    其实在他们看来，唐笑最好的选择还是加入美利坚国籍。这样的话，不仅进入半导体领域不会受到刁难，就连苹果、高飞和笑脸这几家唐笑名下最为重要的公司在美利坚的发展也能避免很多麻烦。

    不过唐笑既然愿意加入台员籍，对他们来说也算是一件好事，毕竟台员和美利坚方面的关系比华夏和美利坚之间的关系肯定是要好一些的，大boss加入台员籍肯定要比死守华夏国籍要好一些的。

    接下来的事情就简单多了，只要唐笑的身份不受瓦森纳协定限制，他再想进入到一些相对敏感的行业受到的阻力就会小上很多。原本一直在计划着的入股asml和控股arm的事情，执行起来也会容易不少。

    接下来的讨论相对来说就没有那么敏感了，都是一些涉及到具体执行方案的事情。倒是博瑞克的一个问题引起了除唐笑外所有人的兴趣：“boss，您说有一些设想会交给前期加入的人员进行论证，能不能和我们说说？”

    “两个方向，一个是130纳米阶段从铝制成到铜制程的转变，一个是从干式光刻向湿式光刻的转移。这些事情不是半导体业内人士，跟你们说了也不会懂，大致就是目前采用的铝布线工艺和干式光刻工艺已经达到了极限，已经到了不得不变的关键节点。”

    2003年之前，台积电、ibm以及岛本国的芯片制造商正在进行一场决战，即解决130纳米工艺的铝布线材料问题。130纳米是微米级工艺制程向纳米级工艺制程过度的关键节点，谁解决了了这个节点的铝布线材料问题，谁就能在之后的竞赛中冲到前面，获得大量客户。

    这个铝布线问题是怎么回事呢？简单说就是耐点迁移性的问题。在芯片内部较高的电流密度下，电子沿铝布线往阳极流动，在流动的过程中，与铝原子发生碰撞，将动量转移给铝原子，使其往阳极移动，久而久之形成凸起物，同时在阴极方向形成空洞。

    晶须和空洞会造成芯片内部短路和断路，使整个芯片报废。而随着芯片制造工艺从微米级到纳米级过渡，铝布线越来越细，电迁移问题会越来越突出，最终导致整个芯片行业停滞不前。

    另外，进入21世纪，为了延续摩尔定律，人们改进了晶体管架构方式，但光刻机光源波长卡在了193nm上。这造成的后果是光刻“画”出的线条不够细致，阻碍晶体管架构的实现。要解决这个问题，最直接的方式就是把光源波长缩短，比如尼康、svg等厂商试图采用157nm波长的光线。

    实践中，实现157nm波长的光刻机并不容易。首先，157nm波长的光线极易被193nm光刻机使用的镜片吸收；其次，光刻胶也要重新研发；另外，相比于193nm波长，157nm波长进步不到25%，回报率较低。但在当时，这似乎是唯一的办法。

    到了2002年，时任台积电研发副经理林本坚提出：为什么非要改变波长？在镜头和光刻胶之间加一层光线折射率更好的介质不就行了？那么什么介质能增加光的折射率呢？林本坚说，水就可以。与干式光刻技术相对，林本坚的技术方案被称为浸没式光刻技术。经过水的折射，光线波长可以由193nm变为132nm。

    以上就是铝布线工艺和干式光刻技术面临的困境，2001年到2

『加入书签，方便阅读』