返回第478章 真假1微米(1)(第1/1页)  重生之北国科技首页

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    光电会议室。

    三个青年人再次聚集在了一起。

    虽然青涩的面容,出卖了他们的真实年龄,但这几位可不是一般的年轻人。

    自从顾明,右天相继退出童子军后,叶静,一个女孩子,成了童子军的实际领导人。正是这段经历,为她未来的发展,打下了坚实基础。

    严亮把更多的精力放到了tft-lems,led,以及lcd的不断洗礼,两个人对晶圆工艺已经不陌生了。

    在后世,人们一提起半导体设备,被津津乐道的,就是光刻机。大家普遍认为,光刻机是中国在半导体工艺上落后的唯一瓶颈。

    这句话对,也不对。

    对,是因为,中国在半导体工艺领域,被甩得最远的代表设备就是光刻机。

    其他设备,例如蚀刻设备等,它们与国际先进水平,即使有些差距,差距也没有这么大,甚至某些设备,国产设备已经开始反攻国际市场。

    光刻机决定半导体制程的情况,仅仅是出现在2005年之后。这就是地球人都知道的,asml的天王山之战。

    asml在浸入式光刻机上,打了场翻身仗,一举把日本的几家竞争对手掀翻在地,从而奠定了在光刻机市场的垄断地位。

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    但实际上,在2005年的前后,决定半导体芯片制程的几个核心技术,都不是光刻机。因为此时,光波的波长,还没有撞到极限.

    中国已经有了1.5微米的光刻机,但是其他辅助工艺,达不到这么高的精度。

    几十年来,对光刻设备的要求主要基于摩尔定律,通过减小波长和增大数值孔径来获得更高分辨率。

    但是激光的可用波长就那么几个,激光波长减少几次,就无以为继了。

    2004年开始,光刻机就开始使用193nm波长的duv激光,谁也没想到,光刻光源被卡在193nm无法进步长达十几年。

    哪怕采用了沉浸式光刻机,也仅仅是使晶圆工艺成功突破了几个节点。

    过了一段时间,半导体工艺的工艺演进路线,再次遇到了类似的问题。后世的14nm,10nm,7nm的技术突破。都不是通过升级光刻机来实现的。

    在光刻机无法升级的情况下,为了突破这个障碍,人们开始寻找别的突围方向。

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    随着科学家们的脑洞大开,一个行之有效的方法,真的被找到了!

    更为可喜的是,这个方法思路非常简单,而且特别适合这个时代。

    在完全在不改变设备技术水平的情况下,可以提高晶圆的制程!

    之所以这个方法没有被广泛宣传,是因为所有的晶圆厂都在使用。大家都在用的技术,自然就失去了神秘性和趣味性。

    灯下黑,指的就是这种情况。说说520小说阅读_www.shuoshuo520.cc

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